巨磁电阻（GMR）效应来自于载流电子的不同自旋状况与磁场的效果不同，然后导致的电阻值的改变。这种效应只要在纳米标准的薄膜结构中才干观测出来。赋以特别的结构设计这种效应还能调整以习惯任何不同的功能需求。
外加磁场使该磁性多层薄膜处于饱和状况时（相邻磁性层磁矩平行散布），而电阻处于低阻态的导电输出特性，电阻：R2*R3/（R2+R3），R2R1R3
巨磁电阻（GMR）传感器将四个巨磁电阻（GMR）构成惠斯登电桥结构，该结构可以大大削减外界环境对传感器输出稳定性的影响，添加传感器活络度。作业时图中“电流输入端”接5V~20V的稳压电压，“输出端”在外磁场效果下即输出电压信号。
图三所示为巨磁电阻（GMR）传感器在外场中的功能曲线Oe的磁场规模类有较好的线：巨磁电阻（GMR）在外加磁场下的功能曲线
a . 巨磁电阻（GMR）传感器作为一种有源器材，其作业必需求供给5~20V的直流
。并且该电源的稳定性直接影响传感器的测验精度，因而要求以稳压电源供给；运用中也应防止过电压供电；b .巨磁电阻（GMR）传感器作为一种高精度的磁敏传感器，对运用磁环境也有必定的要求，其类型选用应根据运用环境的磁场巨细来决议；
c. 巨磁电阻（GMR）传感器对磁场的活络度与方向有关。其外形结构上标示的活络轴为传感器对磁场最为活络的方向，
其间Sθ为磁场方向与传感器活络轴间的夹角为θ时的活络度，S0为磁场方向与传感器活络轴平行时的活络度。
d. 关于输出特性相关于外磁场为偶函数时，则将传感器作为丈量运用时需求外加偏置磁场。抱负状况偏置磁场的巨细为传感器坚持线。
